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Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET?0?3 Gen IV功率MOSFET技術(shù)。SiR186LDP MOSFET具有超低RDS Qg品質(zhì)因數(shù) （FOM），經(jīng)過調(diào)諧，可實現(xiàn)最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道 60V （D-S） MOSFET非常適合用于同步整流、一次側(cè)開關(guān)、直流/直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動開關(guān)應(yīng)用。

Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET的介紹、特性...
一、介紹Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET是一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而知名。TrenchFET系列MOSFET包括多個不同的版本和封裝形式，如第三代和第四代產(chǎn)品，每種都針對特定的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。二、特性超低RDS(on)特性：TrenchFET功率MOSFET具有超低的R......
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2022-11-07
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Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的半導(dǎo)體器件，以下是對其的介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)概述：介紹Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是專為電信、工業(yè)和計算應(yīng)用設(shè)計的高效率、高功率密度解決方案。它采用了先進(jìn)的E系列超級結(jié)技術(shù)，并封裝在頂部冷卻的......
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2022-06-24
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Vishay / Siliconix Si7454FDP是一款N通道（N-Channel）的100V MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它采用了TrenchFET? Gen IV技術(shù)，旨在提供高性能的開關(guān)應(yīng)用解決方案。特性電氣參數(shù)：漏源極擊穿電壓（Vds）：100 V25°C時的連續(xù)漏極電流（Id）：5A(Ta)漏源導(dǎo)通電阻（......
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2022-06-24
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Vishay/Siliconix SQS486CENW 是一款汽車級 N 溝道 40V 溝槽 FET MOSFET，具有以下特點：低導(dǎo)通電阻：RDS(on) 典型值為 11.5mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。高功率密度：采用節(jié)省空間的 PowerPAK? SO-8 封裝，尺寸小巧，能以較小的封裝實現(xiàn)較高的功率處理能力。快速開關(guān)速度：具有較低的柵......
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2022-06-16
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Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級是Vishay Intertechnology Inc.旗下的一個高性能產(chǎn)品系列，專為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計。該系列集成了MOSFET、驅(qū)動器和高電流路徑，旨在提供高效率的DC/DC轉(zhuǎn)換解決方案。SiC8x系列采用先進(jìn)的封裝技術(shù)和設(shè)計，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功耗、尺寸、效率和可靠......
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