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3D堆疊芯片技術(shù)
3D堆疊芯片技術(shù)
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3D堆疊技術(shù)是利用堆疊技術(shù)或通過(guò)互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號(hào)連接以及晶圓級(jí)，芯片級(jí)和硅蓋封裝具有不同的功能。針對(duì)包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。該技術(shù)用于微系統(tǒng)集成，是在片上系統(tǒng)（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開(kāi)發(fā)的先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝制造技術(shù)。

英特爾：2025年生產(chǎn)1.8納米芯片
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英特爾計(jì)劃在2025年生產(chǎn)1.8納米（18A）芯片，這一計(jì)劃是英特爾半導(dǎo)體制程發(fā)展規(guī)劃的重要里程碑。以下是對(duì)該計(jì)劃的詳細(xì)分析：一、計(jì)劃背景與進(jìn)展制程技術(shù)規(guī)劃：英特爾CEO Pat Gelsinger上任后，提出了雄心勃勃的半導(dǎo)體制程發(fā)展規(guī)劃，旨在加速技術(shù)迭代。根據(jù)規(guī)劃，英特爾計(jì)劃在2021年推出7納米、2022年推出4納米、2023年推出......
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2021-08-06
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