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化學(xué)機械研磨
化學(xué)機械研磨
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化學(xué)機械研磨，晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小，光刻(Lithography)技術(shù)對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應(yīng)用于64MB的DRAM生產(chǎn)中。1995年以后，CMP技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?；瘜W(xué)機械研磨亦稱為化學(xué)機械拋光，其原理是化學(xué)腐蝕作用和機械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。

國內(nèi)首條12英寸先進傳感器研發(fā)中試線成功通線
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國內(nèi)首條12英寸先進傳感器研發(fā)中試線的成功通線，標(biāo)志著我國在先進傳感器技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。以下是對該中試線的詳細(xì)介紹：一、中試線基本信息建設(shè)單位：國家智能傳感器創(chuàng)新中心建設(shè)地點：上海嘉定工業(yè)區(qū)中試線規(guī)格：國內(nèi)首條12英寸先進傳感器中試線二、中試線技術(shù)與設(shè)備主要設(shè)備：以國產(chǎn)設(shè)備為主核心技術(shù)：具備晶圓鍵合、晶圓減薄、干濕法刻蝕、物理和化學(xué)......
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2021-07-02
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