金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一，MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：位于半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層以及位于柵介質(zhì)層表面的柵電極層；位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)半導(dǎo)體襯底中的源漏摻雜區(qū)。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的平面式的MOSFET對(duì)溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成?yán)重的漏電流。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin FET)是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部表面和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部中的源漏摻雜區(qū)。與平面式的MOSFET相比，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有更強(qiáng)的短溝道抑制能力，具有更強(qiáng)的工作電流。