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onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊湊的系統(tǒng)尺寸。這些mosfet為增強(qiáng)的電力電子應(yīng)用提供了先進(jìn)的技術(shù)。
特性
符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)
100% UIL測(cè)試
650 v級(jí)
通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證
當(dāng)V(gs) = 18V, I(d) = 66A時(shí)，最大R(DS(on)) = 50毫歐
應(yīng)用程序
汽車車載充電器
用于EV/HEV的汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
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