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onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
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onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減小系統(tǒng)尺寸。
特性
Typ。R(DS(on)) = 19m, V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on)) = 25m, V(GS) = 15V
超低柵極電荷(Q(G(t)) = 164nC)
低電容(C(損耗)= 278pF)
100%雪崩測試
通過AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
無鉛，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
汽車車載充電器
用于EV/HEV的汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
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