德州儀器LMC6482AIMX/NOPB運算放大器中文資料


德州儀器LMC6482AIMX/NOPB運算放大器中文資料
一、型號與類型
LMC6482AIMX/NOPB是德州儀器(Texas Instruments,簡稱TI)生產(chǎn)的一款高性能、雙路CMOS運算放大器。該型號屬于軌到軌(Rail-to-Rail)輸入和輸出放大器類別,特別適用于需要大輸入信號范圍和高精度的應(yīng)用場景。LMC6482AIMX/NOPB的封裝形式包括SOIC和VSSOP,尤其是VSSOP封裝,其尺寸幾乎是SOIC-8器件的一半,使得在空間受限的應(yīng)用中也能輕松部署。
廠商名稱:TI德州儀器
元件分類:運算放大器
中文描述: 運算放大器,2個放大器,1.5 MHz,1.3 V/?s,3V至15.5V,SOIC,8引腳
英文描述: Ultra-low Bias Current,Precision CMOS Rail-to-Rail Input and Output Dual Operational Amplifier
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LMC6482AIMX/NOPB概述
LMC6482AIMX/NOPB是一款具有軌到軌輸入和輸出的雙路CMOS運算放大器。LMC6482器件提供可擴展至兩個電源軌的共模范圍。由于具有高CMRR,這種軌至軌性能與出色的精度相結(jié)合,使其在軌至軌輸入放大器中獨樹一幟。該器件非常適合需要大輸入信號范圍的系統(tǒng),例如數(shù)據(jù)采集。LMC6482也是使用有限共模范圍放大器(例如TLC272和TLC277)的電路的絕佳升級。LMC6482的軌到軌輸出擺幅在低壓和單電源系統(tǒng)中確保了最大動態(tài)信號范圍。對于低至600R的器件負載,可確保軌到軌輸出擺幅。
電源良好輸出
軌到軌輸入共模電壓范圍(確保在整個溫度范圍內(nèi))
軌到軌輸出擺幅(電源軌20mV以內(nèi),100kR負載)
82dB出色的CMRR和PSRR
20fA超低輸入電流
130dB高壓增益(RL=500kR)
應(yīng)用
測試與測量,信號處理,醫(yī)用,傳感與儀器
LMC6482AIMX/NOPB中文參數(shù)
放大器類型 | 雙運算 | 引腳數(shù)目 | 8 |
安裝類型 | 表面貼裝 | 典型單電源電壓 | 3 → 15.5 v |
封裝類型 | SOIC | 典型增加帶寬產(chǎn)品 | 1MHz |
電源類型 | 單 | 軌對軌 | 軌至軌輸入/輸出 |
每片芯片通道數(shù)目 | 2 |
? LMC6482AIMX/NOPB引腳圖
二、工作原理
LMC6482AIMX/NOPB運算放大器的工作原理基于CMOS技術(shù),通過集成高精度、低噪聲的CMOS晶體管,實現(xiàn)了軌到軌的輸入和輸出性能。軌到軌性能意味著該放大器的輸入和輸出電壓范圍可以接近或達到其供電電壓軌,從而提高了系統(tǒng)的動態(tài)范圍和信號處理能力。在運算放大器內(nèi)部,通過復雜的反饋和補償網(wǎng)絡(luò),實現(xiàn)了高共模抑制比(CMRR)和高電源抑制比(PSRR),確保了信號處理的準確性和穩(wěn)定性。
三、特點
軌到軌輸入輸出:LMC6482AIMX/NOPB提供軌到軌的輸入和輸出擺幅,使得在低電壓和單電源系統(tǒng)中能夠充分利用可用的電源電壓范圍,實現(xiàn)最大的動態(tài)信號處理能力。
高精度:通過高CMRR(共模抑制比)和PSRR(電源抑制比),該放大器在抑制共模噪聲和電源波動方面表現(xiàn)出色,確保了信號的純凈度和精度。
低電壓低功耗:LMC6482AIMX/NOPB特別適合電池供電的系統(tǒng),因為它具有低電壓和低功耗的特性。即使在低電壓下,也能保持穩(wěn)定的性能輸出,延長了電池的使用壽命。
寬電源電壓范圍:該放大器支持從3V到15.5V的寬電源電壓范圍,滿足了不同應(yīng)用場景的需求。
超低輸入電流:超低輸入電流(20fA)意味著在高阻抗電路中,由輸入電流引起的誤差可以降到最低,提高了測量的準確性。
高電壓增益:在特定負載條件下,LMC6482AIMX/NOPB能夠提供高達130dB的電壓增益,這對于需要高增益的應(yīng)用場景尤為重要。
小尺寸封裝:VSSOP封裝使得該放大器在保持高性能的同時,具有更小的體積,便于在緊湊的電路板上布局。
四、應(yīng)用
LMC6482AIMX/NOPB運算放大器因其卓越的性能和靈活的應(yīng)用特性,被廣泛應(yīng)用于各種需要高精度、大動態(tài)范圍信號處理的場合。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域:
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng):在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,LMC6482AIMX/NOPB能夠處理大范圍的輸入信號,確保數(shù)據(jù)的準確性和完整性。其軌到軌輸入輸出特性使得在低電壓供電條件下也能獲得良好的性能。
傳感器接口電路:在傳感器接口電路中,該放大器用于將傳感器的微弱信號放大到可處理的水平,同時抑制噪聲和干擾,提高信號的信噪比。
電池供電設(shè)備:由于其低電壓和低功耗特性,LMC6482AIMX/NOPB非常適合用于便攜式設(shè)備、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)等電池供電的應(yīng)用場景。
醫(yī)療電子設(shè)備:在醫(yī)療電子設(shè)備中,對信號的精度和穩(wěn)定性有極高的要求。LMC6482AIMX/NOPB憑借其高精度和低噪聲特性,能夠滿足這些嚴苛的應(yīng)用需求。
音頻處理:在音頻處理領(lǐng)域,該放大器可用于前置放大器、音頻驅(qū)動器等環(huán)節(jié),提供清晰、無失真的音頻信號。
五、參數(shù)
以下是LMC6482AIMX/NOPB運算放大器的主要參數(shù):
電源電壓:3V至15.5V
封裝類型:SOIC、VSSOP
通道數(shù)量:2
增益帶寬積(GBP):1.5 MHz
轉(zhuǎn)換速率(SR):1.3 V/μs
共模抑制比(CMRR):82 dB
電源抑制比(PSRR):70 dB
輸入偏置電壓(Vos):750 μV
輸入偏流(Ib):4 pA(典型值),20 fA(超低輸入電流模式)
輸出電流:每個通道30 mA
工作溫度范圍:-40°C至+85°C
噪聲性能:
輸入電壓噪聲密度(f = 1 kHz):典型值小于10 nV/√Hz
電流噪聲密度(f = 1 kHz):典型值小于0.3 pA/√Hz
總諧波失真加噪聲(THD+N, RL = 1 kΩ, G = +1):在特定條件下,小于-80 dB
失調(diào)電壓與溫度漂移:
輸入失調(diào)電壓(Vos):典型值750 μV,最大值可能根據(jù)具體溫度范圍和電源電壓有所不同
輸入失調(diào)電壓溫漂(Vos Drift):典型值2 μV/°C,確保了在不同工作溫度下的低失調(diào)電壓變化
靜態(tài)特性:
輸入共模電壓范圍(VICR):軌到軌,即從負電源電壓到正電源電壓
輸出電壓擺幅(VO):軌到軌,但可能受限于電源電壓和負載條件
開環(huán)電壓增益(Avo):典型值高達130 dB,確保了信號放大的高準確性
封裝與尺寸:
VSSOP封裝(超小體積SOIC封裝):提供了緊湊的尺寸,特別適合空間受限的應(yīng)用。具體尺寸會根據(jù)制造商和封裝版本略有不同,但通常比標準SOIC封裝小得多。
功耗:
靜態(tài)電流(IQ):根據(jù)具體工作條件和電源電壓,靜態(tài)電流較低,有助于延長電池壽命或降低系統(tǒng)整體功耗。
保護功能:
盡管LMC6482AIMX/NOPB本身可能不直接提供過壓保護、過熱保護等外部保護功能,但設(shè)計時應(yīng)考慮這些潛在的風險,并可能通過外部電路或系統(tǒng)級保護措施來確保運放的穩(wěn)定運行。
六、設(shè)計考慮與應(yīng)用實例
在設(shè)計使用LMC6482AIMX/NOPB的電路時,需要特別注意以下幾個方面:
電源去耦:為了確保運放的穩(wěn)定性和低噪聲性能,應(yīng)在電源引腳附近添加適當?shù)娜ヱ铍娙?,以濾除電源噪聲。
布局與布線:考慮到運放的高頻特性和對噪聲的敏感性,布局時應(yīng)盡量縮短信號路徑,避免長距離的信號走線。同時,數(shù)字信號和模擬信號應(yīng)分開布線,以減少相互干擾。
負載匹配:在設(shè)計輸出電路時,應(yīng)確保負載阻抗與運放的輸出特性相匹配,以獲得最佳的電壓擺幅和線性度。
應(yīng)用實例:
以一個簡單的電壓跟隨器為例,使用LMC6482AIMX/NOPB的一個通道作為電壓跟隨器,可以實現(xiàn)對輸入信號的緩沖和隔離。通過將運放的同相輸入端連接到信號源,反相輸入端通過反饋電阻連接到輸出端,可以形成一個負反饋網(wǎng)絡(luò),使得輸出電壓緊密跟隨輸入電壓變化,同時降低輸出阻抗,提高信號驅(qū)動能力。
此外,LMC6482AIMX/NOPB還可以用于構(gòu)建更復雜的模擬電路,如儀表放大器、濾波器、積分器、微分器等,通過不同的外部電路配置和參數(shù)調(diào)整,可以實現(xiàn)多樣化的信號處理功能。
總結(jié):
LMC6482AIMX/NOPB作為一款高性能、雙路CMOS運算放大器,憑借其軌到軌輸入輸出、高精度、低電壓低功耗等特點,在數(shù)據(jù)采集、傳感器接口、醫(yī)療電子、音頻處理等多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。在設(shè)計使用時,需要注意電源去耦、布局布線、負載匹配等關(guān)鍵因素,以確保電路的穩(wěn)定性和性能最優(yōu)化。
責任編輯:David
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