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TNY275PN
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1腳:致能/電壓偏低檢測(EN/UV)2腳:橋接/多功能(BP/M)3腳:空置4腳:漏極(D)5、6、7、8腳相連:源極(S)。 使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層,然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導線可分為鋁工藝和銅工藝。