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隧穿器
隧穿器
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隨著MOSFET器件尺寸不斷縮小，降低功耗成為了集成電路設計的關鍵問題。熱載流子注入效應在室溫下將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的亞閾值擺幅（SS）限制在60mV / dec，這種物理上的限制使得MOSFET難以適用于低電源電壓[1-2]。隧穿場效應晶體管（TFET）具有低亞閾值擺幅和低關態(tài)電流的優(yōu)點，然而受到隧穿面積和隧穿幾率的限制，TFET器件的電流密度通常比MOSFET低2～3個數(shù)量級左右，限制了TFET器件的實際應用