時(shí)序
時(shí)序
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內(nèi)存時(shí)序(英語(yǔ):Memory timings或RAM timings)是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)性能的四個(gè)參數(shù):CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時(shí)鐘周期。它們通常被寫(xiě)為四個(gè)用破折號(hào)分隔開(kāi)的數(shù)字,例如7-8-8-24。第四個(gè)參數(shù)(RAS)經(jīng)常被省略,而有時(shí)還會(huì)加入第五個(gè)參數(shù):Command rate(命令速率),通常為2T或1T,也寫(xiě)作2N、1N。這些參數(shù)指定了影響隨機(jī)存取存儲(chǔ)器速度的潛伏時(shí)間(延遲時(shí)間)。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實(shí)際的延遲時(shí)間,通常以納秒為單位。
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