S校正電容和CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容的區(qū)別?


S校正電容和CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容在多個方面存在顯著的區(qū)別。以下是對這兩種校正電容的詳細比較:
一、定義與用途
S校正電容:
常見于電視機和顯示器的行輸出電路中。
主要用于補償顯像管的延伸性失真,通過校正顯像管中心和邊緣電子速掃描速率不一樣引起的圖象失真,從而提高圖像質(zhì)量。
CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容:
屬于校正電容器的一種,具有特定的疊片式結(jié)構(gòu)。
廣泛應用于各種直流及脈動電路中,因其自愈性好、可靠性高、損耗小、電性能優(yōu)越等特點而受到青睞。
二、結(jié)構(gòu)與特點
S校正電容:
結(jié)構(gòu)上通常與行偏轉(zhuǎn)線圈串接,在電路中起到校正和補償?shù)淖饔谩?/span>
特性上主要關注其電容值、耐壓值以及穩(wěn)定性,以確保對顯像管掃描速率的精確校正。
CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容:
采用疊片式結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)使得電容器具有更好的電氣性能和穩(wěn)定性。
使用金屬化聚酯膜作為介質(zhì)和電極,外部采用阻燃環(huán)氧樹脂封裝,提高了電容器的安全性和可靠性。
無感卷繞結(jié)構(gòu)使得電容器在高頻電路中表現(xiàn)出色,適用于旁路、隔直、耦合、退耦等多種應用。
三、性能參數(shù)
S校正電容:
電容值通常根據(jù)電路需求進行定制,以確保對顯像管掃描速率的精確校正。
耐壓值需滿足電路中的電壓要求,以確保電容器的正常工作。
CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容:
電容值范圍廣泛,可根據(jù)具體電路需求進行選擇。
耐壓值通常較高,能夠滿足多種電路中的電壓要求。
具有較低的損耗和較高的穩(wěn)定性,使得電容器在長時間工作中保持穩(wěn)定的性能。
四、應用場景
S校正電容:
主要應用于電視機和顯示器的行輸出電路中,用于校正圖象失真。
CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容:
廣泛應用于各種直流及脈動電路中,如汽車RFI、脈沖、邏輯、定時、緊湊型節(jié)能燈等領域。
也適用于需要高精度和高穩(wěn)定性電容器的場合,如通信設備、計算機等。
綜上所述,S校正電容和CL71疊片結(jié)構(gòu)式校正電容在定義與用途、結(jié)構(gòu)與特點、性能參數(shù)以及應用場景等方面均存在顯著差異。選擇哪種校正電容取決于具體的電路需求和工作環(huán)境。
責任編輯:Pan
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