英飛凌CoolSiC 汽車1200V G1 SiC溝槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒狀產(chǎn)品組合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封裝的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范圍為8.7毫歐至160毫歐， ID為+25°C，最大17A至205A。高功率密度、卓越效率、雙向充電能力以及顯著降低的系統(tǒng)成本使英飛凌科技1200V汽車CoolSiC MOSFET模塊成為車載充電器和DC-DC應(yīng)用的理想選擇。TO和SMD組件還配備了開(kāi)爾文源引腳，以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。

特性

• 革命性的碳化硅半導(dǎo)體材料

• 極低的開(kāi)關(guān)損耗

• 增加導(dǎo)通電壓V(GS(on)) 20V

• 兼容igbt驅(qū)動(dòng)電壓

• 0V關(guān)斷柵極電壓

• 基準(zhǔn)柵極閾值電壓V(GS(the)) = 4.5V

• 一流的開(kāi)關(guān)能量

• 器件電容低

• 無(wú)閾值on-state特性

• 與溫度無(wú)關(guān)的關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗

• .XT模具貼附技術(shù)，具有一流的熱性能

• 完全可控的dv/dt

• 用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的檢測(cè)引腳

• 適用于高壓漏電要求

• 細(xì)引線，減少焊接橋的風(fēng)險(xiǎn)

• 整流穩(wěn)健體二極管，準(zhǔn)備同步整流

• -55℃~ +175℃工作溫度范圍

• 無(wú)鉛，無(wú)鹵，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用程序

• 車載充電器和pfc

• 助推器和DC/DC轉(zhuǎn)換器

• 輔助逆變器