原標(biāo)題：不用EUV光刻機(jī)也能造5nm芯片？鎧俠攜手NDP與佳能力推NIL技術(shù)

是的，不用EUV光刻機(jī)也能造5nm芯片，這得益于鎧俠攜手NDP（大日本印刷株式會(huì)社）與佳能共同力推的NIL（納米壓印微影）技術(shù)。

技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)

• EUV光刻機(jī)問題：在半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)入5nm節(jié)點(diǎn)后，EUV光刻機(jī)成為了不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。然而，EUV光刻機(jī)造價(jià)高昂（每臺(tái)價(jià)格超過1億美元），且僅荷蘭ASML一家能夠生產(chǎn)供應(yīng)，產(chǎn)能有限，導(dǎo)致芯片生產(chǎn)成本大幅升高。

• NIL技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生：為解決上述問題，日本存儲(chǔ)大廠鎧俠聯(lián)合NDP與佳能，共同研發(fā)了NIL技術(shù)。該技術(shù)可以不使用EUV光刻機(jī)，就能將制程技術(shù)推進(jìn)到5nm。

技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

1. 降低成本：

• 設(shè)備成本：NIL技術(shù)的設(shè)備投資僅為EUV設(shè)備的40%。

• 耗電量：NIL技術(shù)的微影制程耗電量可壓低至EUV技術(shù)的10%。

2. 提升效率：NIL技術(shù)的制造工藝較為單純，相較于EUV光刻技術(shù)，其制程更為簡(jiǎn)潔。

3. 應(yīng)用前景：

• NAND閃存：鎧俠表示，NAND零組件因?yàn)椴扇?D立體堆疊結(jié)構(gòu)，更容易適應(yīng)NIL技術(shù)制程。

• 其他領(lǐng)域：佳能也致力于將NIL量產(chǎn)技術(shù)廣泛應(yīng)用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設(shè)備上，并希望能應(yīng)用于手機(jī)應(yīng)用處理器等最先進(jìn)制程上。

研發(fā)進(jìn)展

• 研發(fā)歷程：從2017年開始，鎧俠便與佳能和NDP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)NIL的量產(chǎn)技術(shù)。

• 當(dāng)前進(jìn)展：鎧俠已掌握15nm的制程量產(chǎn)技術(shù)，并正在進(jìn)行15nm以下技術(shù)的研發(fā)，預(yù)計(jì)2025年將進(jìn)一步達(dá)成5nm量產(chǎn)目標(biāo)。

面臨的挑戰(zhàn)

盡管NIL技術(shù)有諸多優(yōu)點(diǎn)，但在導(dǎo)入量產(chǎn)上仍存在不少問題有待解決，如空氣中的細(xì)微塵埃容易影響芯片質(zhì)量，導(dǎo)致瑕疵產(chǎn)生。此外，NIL技術(shù)還需要高質(zhì)量的壓印膜版，這種膜版的制備工藝同樣復(fù)雜。

綜上所述，鎧俠攜手NDP與佳能力推的NIL技術(shù)，為半導(dǎo)體行業(yè)提供了一種新的可能性，即在不使用EUV光刻機(jī)的情況下也能制造出5nm芯片。然而，要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，還需要克服一系列技術(shù)難題和量產(chǎn)挑戰(zhàn)。