年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條,深科技旗下合肥沛頓存儲一期項目封頂


原標題:年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條,深科技旗下合肥沛頓存儲一期項目封頂
合肥沛頓存儲科技有限公司是深科技與國家大基金二期、合肥產(chǎn)投、中電聚芯共同投資成立的企業(yè),專注于存儲芯片的封裝測試業(yè)務。近日,該公司旗下的一期項目已經(jīng)順利封頂,并預計在未來實現(xiàn)年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條的生產(chǎn)能力。
一、項目背景與意義
合肥沛頓存儲項目的建設,旨在完善我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈,提升存儲器產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。該項目的封頂,標志著我國在高端存儲芯片封裝測試領域取得了重要的階段性成果。同時,該項目還將填補合肥半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要一環(huán),為當?shù)匕雽w產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。
二、項目進展與規(guī)劃
封頂慶典:合肥沛頓存儲一期項目在多方努力下,于今年6月順利封頂。這一事件標志著項目進入了新的建設階段。
生產(chǎn)能力:項目達產(chǎn)后,預計可實現(xiàn)年封測DRAM顆粒5.76億顆、年封裝NAND FLASH 3840萬顆以及年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條的生產(chǎn)能力。這將極大地提升我國存儲芯片的封裝測試能力,滿足國內(nèi)外市場的需求。
營收預期:據(jù)初步估算,項目達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年營收約28億元。這將為深科技和合肥沛頓存儲帶來可觀的經(jīng)濟效益,同時也將推動當?shù)亟?jīng)濟的增長。
三、深科技的戰(zhàn)略布局
深科技在集成電路封裝測試領域具有深厚的實力和豐富的經(jīng)驗。該公司通過加大力度布局集成電路封裝測試等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),形成了聚焦發(fā)展存儲半導體、自主產(chǎn)品、高端制造領域及重點建設深科技城項目的“3+1”發(fā)展模式。合肥沛頓存儲項目是深科技這一戰(zhàn)略布局中的重要一環(huán),有助于實現(xiàn)經(jīng)營業(yè)務的轉(zhuǎn)型升級和持續(xù)發(fā)展。
四、未來展望
隨著合肥沛頓存儲一期項目的封頂和即將投產(chǎn),我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈將得到進一步完善。同時,該項目也將為深科技和合肥沛頓存儲帶來新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。未來,深科技將繼續(xù)加大在集成電路封裝測試領域的投入和研發(fā)力度,推動技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。同時,合肥沛頓存儲也將積極承接國內(nèi)外市場的訂單和需求,不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務水平,為推動我國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。
綜上所述,合肥沛頓存儲一期項目的封頂標志著我國在高端存儲芯片封裝測試領域取得了重要的階段性成果。未來,該項目將為深科技和合肥沛頓存儲帶來新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn),同時也將推動我國存儲器產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展和升級。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。