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Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品為行業(yè)領先的Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET

來源: 中電網(wǎng)
2021-06-28
類別:新品快報
eye 10
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品為行業(yè)領先的Qrr品質因數(shù)80 V/100 V MOSFET

Nexperia(安世半導體)位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線的啟動,標志著該公司在半導體制造領域的重要進展。以下是對該事件及其首批產(chǎn)品的詳細分析:

一、生產(chǎn)線啟動背景

  • 公司名稱:Nexperia(安世半導體)

  • 地點:英國曼徹斯特

  • 生產(chǎn)線類型:新8英寸晶圓生產(chǎn)線

  • 啟動時間:2021年6月24日

二、首批產(chǎn)品特點

  • 產(chǎn)品類型:80 V/100 V MOSFET

  • 技術特點:采用最新的NextPower芯片技術,具有低RDS(on)和低Qrr的特點

  • 性能優(yōu)勢

    • RDS(on):即導通電阻,是MOSFET的重要參數(shù)之一,低RDS(on)有助于降低功耗和提高效率。

    • Qrr:即反向恢復電荷,是MOSFET在開關過程中需要消耗的能量之一,低Qrr有助于減少開關損耗和提高開關速度。

    • 新的PSMN3R9-100YSF(100V)和PSMN3R5-80YSF(80V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質因數(shù)(RDS(on) x Qrr),這意味著它們在功耗、效率和開關速度方面都具有出色的表現(xiàn)。

三、市場影響

  • 產(chǎn)能提升:新生產(chǎn)線的啟動將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能,有助于滿足市場對高性能MOSFET的不斷增長需求。

  • 技術創(chuàng)新:通過采用最新的NextPower芯片技術,Nexperia展示了其在半導體制造領域的創(chuàng)新能力,這將有助于鞏固其在行業(yè)內(nèi)的領先地位。

  • 市場競爭:新生產(chǎn)線的啟動和首批產(chǎn)品的推出將加劇半導體市場的競爭,推動行業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)升級。

四、未來展望

  • 持續(xù)擴產(chǎn):面對全球晶圓短缺的現(xiàn)狀,Nexperia將繼續(xù)投資擴產(chǎn)以滿足市場不斷增長的需求。

  • 技術創(chuàng)新:Nexperia將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),推出更多具有高性能和競爭力的半導體產(chǎn)品。

  • 市場拓展:隨著產(chǎn)能的提升和技術的不斷創(chuàng)新,Nexperia將進一步拓展其市場份額,并在全球半導體市場中發(fā)揮更加重要的作用。

綜上所述,Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線的啟動以及首批行業(yè)領先的80 V/100 V MOSFET產(chǎn)品的推出,標志著該公司在半導體制造領域取得了重要進展。這將有助于提升公司的產(chǎn)能和技術創(chuàng)新能力,并推動半導體市場的競爭和發(fā)展。


責任編輯:David

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