原標(biāo)題：SJ－MOS技術(shù)加成，維安全新MOSFET讓Rdson更低

SJ-MOS（Super Junction-MOS）技術(shù)是一種先進(jìn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造技術(shù)，它通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了導(dǎo)通電阻（Rdson），提高了器件的性能和效率。維安（WAYON）作為電路保護(hù)元器件及功率半導(dǎo)體提供商，通過(guò)SJ-MOS技術(shù)的加成，推出了全新的MOSFET產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了更低的Rdson。以下是對(duì)SJ-MOS技術(shù)及其在維安全新MOSFET中應(yīng)用的具體分析：

一、SJ-MOS技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

1. 原理

• SJ-MOS技術(shù)通過(guò)在MOSFET的漂移區(qū)內(nèi)引入交替排列的P型和N型摻雜區(qū)域，形成超結(jié)結(jié)構(gòu)，從而提高了器件的擊穿電壓并降低了導(dǎo)通電阻。

2. 優(yōu)勢(shì)

• 更低的導(dǎo)通電阻：SJ-MOS技術(shù)通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了Rdson，減少了功率損耗，提高了器件的效率。

• 更高的電壓承受能力：超結(jié)結(jié)構(gòu)使得SJ-MOS器件能夠承受更高的電壓，適用于高功率、高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

• 更小的封裝體積：在同等電壓和電流要求下，SJ-MOS的芯片面積比傳統(tǒng)MOS更小，具備空間優(yōu)勢(shì)，有利于功率密度的提高。

二、維安全新MOSFET的Rdson降低

維安通過(guò)多年的SJ-MOS技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，成功開(kāi)發(fā)出了行業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。例如，維安的WMJ120N60CM產(chǎn)品，采用常規(guī)TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS，其Rdson低至16.5mΩ，相較于傳統(tǒng)MOSFET產(chǎn)品，具有顯著的性能提升。

三、維安全新MOSFET的應(yīng)用

維安的全新MOSFET產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊，如新能源汽車地面充電樁模塊電源、通信電源和高功率充電機(jī)等行業(yè)。這些行業(yè)對(duì)器件的性能和效率有著極高的要求，而維安的SJ-MOS技術(shù)正好滿足了這些需求。

1. 新能源汽車充電樁：新能源汽車充電樁需要承受高功率和高電壓的沖擊，同時(shí)要求器件具有高效能和低損耗。維安的SJ-MOS技術(shù)MOSFET產(chǎn)品正好滿足了這些要求，為新能源汽車充電樁提供了可靠的解決方案。

2. 通信電源：通信電源需要保證穩(wěn)定可靠的供電，同時(shí)要求器件具有低功耗和高效率。維安的SJ-MOS技術(shù)MOSFET產(chǎn)品降低了功耗，提高了效率，為通信電源提供了更好的性能保障。

四、總結(jié)

SJ-MOS技術(shù)是一種先進(jìn)的MOSFET制造技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)顯著降低了導(dǎo)通電阻，提高了器件的性能和效率。維安通過(guò)多年的技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，成功推出了采用SJ-MOS技術(shù)的全新MOSFET產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了更低的Rdson和更高的性能。這些產(chǎn)品在高功率電源模塊等行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用，為這些行業(yè)提供了可靠、高效的解決方案。