原標(biāo)題：X－FAB增強(qiáng)工藝改進(jìn)顯著提升光電二極管響應(yīng)速度

X-FAB對(duì)其XS018 180nm傳感器工藝進(jìn)行了一系列增強(qiáng)工藝改進(jìn)，這些改進(jìn)顯著提升了光電二極管的響應(yīng)速度和其他關(guān)鍵性能。以下是對(duì)這一改進(jìn)的詳細(xì)歸納：

一、工藝改進(jìn)概述

X-FAB通過對(duì)其XS018 180nm傳感器工藝的優(yōu)化和擴(kuò)展，推出了專門用于光電二極管制造的新模塊。這一新模塊不僅豐富了光電傳感器的選項(xiàng)，還顯著增強(qiáng)了產(chǎn)品的性能，提升了傳感靈敏度與響應(yīng)速度。

二、光電二極管性能提升

1. 波長(zhǎng)覆蓋與靈敏度：

• 新型光電二極管覆蓋了從紫外線（UV）到近紅外（NIR）的波長(zhǎng)范圍，滿足了客戶的各種應(yīng)用需求。

• 在紫外線波段，新型光電二極管提供了同類最佳的UV靈敏度，特別是在UVC波段達(dá)到60%的量子效率（QE）。

• 在近紅外波段，光電二極管的QE比基于原XH018工藝的傳統(tǒng)器件高出顯著比例，如在850nm波長(zhǎng)時(shí)QE高出17%，在905nm波長(zhǎng)時(shí)QE增加5%。

2. 響應(yīng)度與輸出電流：

• 新工藝允許通過指定金屬孔徑的大小來規(guī)定光電二極管的響應(yīng)度，使輸出電流可在全電流和無電流之間縮放，以補(bǔ)償濾波造成的差異，從而簡(jiǎn)化了光電二極管陣列的配套放大電路。

3. 填充因子與芯片尺寸：

• 與基于早期XH018器件相比，新型光電二極管的填充因子提高了10%，這有助于創(chuàng)建針對(duì)較低光照水平做出響應(yīng)的器件，或減小芯片尺寸以節(jié)省空間。

三、新產(chǎn)品推出

X-FAB基于其優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)（XS018），推出了多款新型高性能光電二極管，包括：

1. 響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管：

• doafe：全光譜傳感器，具有高達(dá)730nm的峰值靈敏度，在730nm波長(zhǎng)處的光譜響應(yīng)度達(dá)到了0.48A/W，相較于上一代產(chǎn)品，靈敏度提升約15%，且響應(yīng)更加平穩(wěn)，改進(jìn)幅度超過50%。適用于煙霧探測(cè)、位置感測(cè)和光譜測(cè)定等應(yīng)用。

• dobfpe：紅光和近紅外（NIR）區(qū)響應(yīng)增強(qiáng)，峰值靈敏度約為770nm，專門針對(duì)紅外信號(hào)的檢測(cè)，與X-FAB之前的dob器件相比提高約25%。特別適合在傳感器逐漸被安裝于玻璃面板下的趨勢(shì)下使用。

2. 紫外線專用光電二極管：

• dosuv：在UVC波段（200nm至280nm）表現(xiàn)出更高的靈敏度，在260nm波長(zhǎng)下，其性能幾乎是市場(chǎng)上以往任何同類產(chǎn)品的兩倍；在235nm波長(zhǎng)，其光譜響應(yīng)度可達(dá)0.16A/W。

• dosuvr：作為dosuv的參考設(shè)計(jì)器件，適配于基于dosuv的傳感器開發(fā)工作。

四、其他增強(qiáng)功能

除了上述主要性能提升外，新型光電二極管還具有以下增強(qiáng)功能：

• 信噪比特性：顯著提升，使光電二極管在弱光環(huán)境下也能提供清晰的信號(hào)。

• 工作溫度范圍：支持-40℃至175℃的寬溫度范圍，適用于各種惡劣環(huán)境。

五、市場(chǎng)影響

X-FAB的增強(qiáng)工藝改進(jìn)和新型光電二極管的推出，不僅豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，還強(qiáng)化了X-FAB在光電傳感器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這些新產(chǎn)品將為客戶帶來更高的性能提升，滿足他們?cè)诮喔袦y(cè)、光譜分析、光學(xué)測(cè)距/三角測(cè)量等方面的需求。

綜上所述，X-FAB通過其增強(qiáng)的XS018 180nm傳感器工藝，顯著提升了光電二極管的響應(yīng)速度和其他關(guān)鍵性能，為光電傳感器市場(chǎng)帶來了創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案。