原標(biāo)題：賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章

賦能未來，勇往直前——科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳（Cree, Inc.）的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour博士，發(fā)表了以《賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索》為題的文章。這篇文章不僅回顧了SiC MOSFET技術(shù)的研發(fā)歷程，還展望了其未來的應(yīng)用前景。

在文章中，John Palmour博士提到，科銳在2011年成功推出了全球首款SiC MOSFET，這一成就是在經(jīng)歷了將近二十年的研發(fā)努力后實現(xiàn)的。在SiC MOSFET問世之前，業(yè)界曾普遍認(rèn)為基于SiC的氧化物絕緣體是不可靠的，因此開發(fā)出可用的SiC MOSFET被認(rèn)為是不可能的。然而，科銳堅信MOSFET才是客戶需要的“最終答案”，并堅定地走上了這條充滿挑戰(zhàn)的道路。

在開發(fā)過程中，科銳探索了三種不同的晶體結(jié)構(gòu)，竭盡全力在降低成本的同時提高安培容量。最初的晶圓尺寸僅有小指指甲大小，但科銳最終成功將基于3英寸晶圓的SiC MOSFET推向市場。這一技術(shù)的突破不僅讓許多原先認(rèn)為不可能實現(xiàn)的人改變了觀點，還推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

John Palmour博士還提到，SiC MOSFET具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等多重優(yōu)勢，這些優(yōu)勢使得SiC MOSFET在高壓環(huán)境中游刃有余，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件。同時，SiC的高熱導(dǎo)率更是其一大亮點，能夠在高達(dá)600℃的工作溫度下保持卓越性能，遠(yuǎn)超硅器件的300℃極限。

隨著SiC MOSFET技術(shù)的不斷發(fā)展，其應(yīng)用場景也越來越廣泛。從射頻器件到功率器件，再到新能源汽車等各個領(lǐng)域，SiC MOSFET都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。特別是在新能源汽車領(lǐng)域，SiC MOSFET的應(yīng)用不僅提升了電池管理系統(tǒng)的效率，還延長了電動汽車的續(xù)航里程，為汽車電動化趨勢注入了強勁動力。

John Palmour博士在文章中表示，科銳將繼續(xù)致力于SiC技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用推廣，為未來的科技發(fā)展賦能。他相信，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢將逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場。未來五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。

總的來說，John Palmour博士的這篇文章不僅是對SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展歷程的回顧和總結(jié)，更是對未來科技發(fā)展的展望和期許。他相信，在科銳等企業(yè)的不斷努力下，SiC MOSFET技術(shù)將為未來的科技發(fā)展注入更多的活力和動力。