原標(biāo)題：應(yīng)對(duì)“更高”存儲(chǔ)器件的ALD填充技術(shù)

應(yīng)對(duì)“更高”存儲(chǔ)器件的ALD（原子層沉積）填充技術(shù)，主要是針對(duì)3D NAND、DRAM等存儲(chǔ)器件在高深寬比復(fù)雜架構(gòu)下的填隙難題而發(fā)展起來(lái)的。以下是對(duì)這一技術(shù)的詳細(xì)解析：

一、技術(shù)背景與需求

隨著存儲(chǔ)器件向更高密度、更小尺寸發(fā)展，3D NAND堆棧越來(lái)越高，存儲(chǔ)單元之間的間隙變得越來(lái)越小，這對(duì)填充技術(shù)提出了更高的要求。傳統(tǒng)的填充方法，如化學(xué)氣相沉積、擴(kuò)散/熔爐和旋涂工藝等，已無(wú)法滿足3D NAND的生產(chǎn)需求，因?yàn)樗鼈兺鶗?huì)導(dǎo)致構(gòu)建和設(shè)計(jì)的實(shí)際結(jié)構(gòu)變形。因此，需要開發(fā)新的填充技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。

二、ALD填充技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

ALD技術(shù)是一種特殊的真空薄膜沉積方法，具有較高的技術(shù)壁壘。它通過氣體分子之間的化學(xué)反應(yīng)在襯底上逐層構(gòu)建分子薄膜，從而實(shí)現(xiàn)分子甚至原子級(jí)別的沉積控制。在應(yīng)對(duì)高深寬比復(fù)雜架構(gòu)的存儲(chǔ)器件時(shí)，ALD填充技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)：

1. 無(wú)針孔薄膜：在ALD過程中，每個(gè)沉積周期只沉積一層原子或分子，確保了薄膜的均勻性和密封性。這種無(wú)針孔薄膜具有良好的密封性和隔離性，可以有效防止外部雜質(zhì)進(jìn)入存儲(chǔ)單元。

2. 100%階梯覆蓋：對(duì)于具有階梯結(jié)構(gòu)的表面，如凹槽、孔隙和高縱深比結(jié)構(gòu)，ALD的分子層級(jí)控制能夠在每個(gè)層面進(jìn)行覆蓋。這使得ALD能夠逐步填充凹槽或孔隙，使薄膜沉積更加均勻。

3. 低溫沉積：許多ALD過程可以在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行，適用于對(duì)溫度敏感的基板和材料，減少了熱應(yīng)力和材料相容性的問題。

4. 多種材料沉積：ALD可以沉積多種材料，如金屬氧化物、氮化物、碳化物等，為存儲(chǔ)器件的制造提供了更多的選擇。

三、先進(jìn)的ALD填充技術(shù)案例

以泛林集團(tuán)的Striker ICEFill為例，該技術(shù)采用泛林獨(dú)有的表面改性技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高選擇性自下而上的無(wú)縫填充，并同時(shí)能保持原子層沉積（ALD）固有的成膜質(zhì)量。Striker ICEFill技術(shù)具有以下特點(diǎn)：

1. 自下而上填充：采用自下而上的填充方式，可以實(shí)現(xiàn)非常高質(zhì)量的內(nèi)部成膜且不會(huì)收縮。

2. 高選擇性：通過表面改性技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)特定區(qū)域的精確填充，避免了對(duì)非填充區(qū)域的污染。

3. 良好的成膜質(zhì)量：標(biāo)準(zhǔn)ALD技術(shù)能大幅提升沉積后的成膜質(zhì)量，解決了收縮的問題。

四、市場(chǎng)前景與應(yīng)用

隨著存儲(chǔ)器件技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)填充技術(shù)的要求也越來(lái)越高。ALD填充技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，在3D NAND、DRAM等存儲(chǔ)器件的制造中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。未來(lái)，隨著存儲(chǔ)器件向更高密度、更小尺寸發(fā)展，ALD填充技術(shù)將具有更廣闊的市場(chǎng)前景和應(yīng)用空間。

綜上所述，應(yīng)對(duì)“更高”存儲(chǔ)器件的ALD填充技術(shù)是一種具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和高技術(shù)壁壘的薄膜沉積方法。它通過逐層構(gòu)建分子薄膜的方式，實(shí)現(xiàn)了對(duì)高深寬比復(fù)雜架構(gòu)存儲(chǔ)器件的精確填充。未來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，ALD填充技術(shù)將在存儲(chǔ)器件制造中發(fā)揮更加重要的作用。