在比較場效應管（FET）和MOS管（金屬氧化物半導體場效應管）的價格時，需要明確的是，MOS管實際上是場效應管的一種，因此，將二者進行直接的價格對比并不十分準確。不過，如果我們把討論范圍擴展到不同類型的場效應管（包括MOS管以及其他類型的FET，如JFET等），則可以嘗試分析它們的價格差異。

一般來說，MOS管的價格受多種因素影響，包括但不限于材料成本、生產(chǎn)工藝、封裝形式、性能參數(shù)以及市場需求等。隨著技術(shù)的進步和產(chǎn)量的增加，MOS管的價格在過去幾年中有所下降，特別是對于一些常用的、大批量的型號。此外，碳化硅（SiC）MOS管等高性能、高可靠性的產(chǎn)品，由于其獨特的材料特性和應用需求，價格可能仍然相對較高。

而其他類型的場效應管，如JFET等，可能由于其特定的應用場景和較小的市場規(guī)模，價格也可能有所不同。一些特殊用途或高性能的FET可能價格更高，而一些通用型或低性能的FET則可能價格更低。

在具體應用中，選擇哪種類型的場效應管（包括MOS管）主要取決于電路的設計需求、性能要求、成本預算以及可獲得的器件類型等因素。

綜上所述，無法一概而論地說場效應管和MOS管哪個更貴。實際上，價格差異取決于具體的型號、性能、封裝以及市場需求等多種因素。在選擇時，建議根據(jù)具體的應用場景和需求進行權(quán)衡和選擇。