ULN2003數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了關(guān)于ULN2003芯片的詳細(xì)規(guī)格、電氣特性、極限參數(shù)以及應(yīng)用信息。以下是根據(jù)多個(gè)來源整理的ULN2003數(shù)據(jù)手冊(cè)的主要內(nèi)容：

一、概述

ULN2003是一個(gè)單片高電壓、高電流的達(dá)林頓晶體管陣列集成電路。它由7對(duì)NPN達(dá)林頓管組成，具有高電壓輸出特性和陰極箝位二極管，可以轉(zhuǎn)換感應(yīng)負(fù)載。單個(gè)達(dá)林頓對(duì)的集電極電流是500mA，達(dá)林頓管并聯(lián)可以承受更大的電流。

二、極限參數(shù)

在Tamb=25°C的條件下，ULN2003的極限參數(shù)如下：

• 集電極和發(fā)射極之間的電壓（VCE）：50V

• 輸入電壓（VI）：30V

• 集電極電流峰值（Io）：500mA

• 總的發(fā)射端電流（IOK）：500mA

• 功率消耗（Pd）：950mW（Tamb=25°C），495mW（Tamb<85°C）

• 工作溫度（Topr）：-20~+85°C

• 儲(chǔ)存溫度（Tstg）：-65~+150°C

三、電氣特性參數(shù)

在Tamb=25°C的條件下，ULN2003的電氣特性參數(shù)如下：

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(SAT)）：在不同的測(cè)試條件下，其值在1.2~3V之間變化。

• 集電極切斷電流（ICEX）：在VCE=50V，II=0的條件下，其典型值為2μA；在VCE=50V，II=0，Tamb=70°C的條件下，其值為100μA。

• 前進(jìn)箝位電壓（VF）：在IF=350mA的條件下，其值為1.72V。

• 關(guān)閉狀態(tài)輸入電流（II(OFF)）：在VCE=50V，IC=500mA，Tamb=70°C的條件下，其值為50~65μA。

• 輸入電容（CI）：在VI=0，f=1MHz的條件下，其值為15~25pF。

• 傳播遲延時(shí)間（tPLH和tPHL）：其值均為0.25~1μs。

• 轉(zhuǎn)換后高電平輸出電壓（VOH）：在Vs=50V，Io=300mA的條件下，其最小值為Vs-20mV。

四、應(yīng)用

ULN2003主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

• 繼電器驅(qū)動(dòng)器

• 字錘驅(qū)動(dòng)器

• 燈驅(qū)動(dòng)器

• 顯示驅(qū)動(dòng)器（LED氣體放電）

• 線路驅(qū)動(dòng)器

• 邏輯緩沖器

五、封裝與引腳

ULN2003提供DIP-16和SOP-16兩種封裝形式，具有16個(gè)引腳。每個(gè)達(dá)林頓對(duì)都有一個(gè)2.7kΩ的串聯(lián)電阻，可以直接與TTL或5V CMOS裝置連接。

六、其他特性

• ULN2003的每對(duì)達(dá)林頓管都具有高電壓輸出能力，可以承受高達(dá)50V的電壓。

• 該芯片與各種邏輯類型兼容，方便與不同的數(shù)字電路進(jìn)行連接。

• ULN2003還集成了抑制二極管，用于保護(hù)電路免受感應(yīng)負(fù)載產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓的影響。

ULN2003數(shù)據(jù)手冊(cè)提供了關(guān)于該芯片的詳細(xì)規(guī)格和應(yīng)用信息，有助于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)正確選擇和使用該芯片。