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Infineon SPP20N60C3功率場效應(yīng)管中文資料

來源:
2024-08-08
類別:基礎(chǔ)知識
eye 42
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

Infineon SPP20N60C3功率場效應(yīng)管中文資料

一、型號與類型

Infineon SPP20N60C3是一款由英飛凌(Infineon)公司生產(chǎn)的功率場效應(yīng)管(MOSFET),具體屬于N溝道CoolMOS? C3系列。這款MOSFET以其高性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而聞名,是英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品線中的一款重要產(chǎn)品。SPP20N60C3的命名中,“SPP”可能代表特定的產(chǎn)品系列或封裝類型,“20N60”則直接指出了其關(guān)鍵電氣參數(shù):20.7A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源極電壓,“C3”則表明它屬于CoolMOS? C3系列。

SPP20N60C3圖片

  廠商名稱:Infineon

  元件分類:MOS管

  中文描述: 功率場效應(yīng)管,MOSFET,N通道,650 V,20.7 A,0.19 ohm,TO-220,通孔

  英文描述: N-channel MOSFET,SPP20N60C3 20.7A 650V

  數(shù)據(jù)手冊:http://www.syqqgy.com/data/k02-24420879-SPP20N60C3.html

  在線購買:立即購買

  SPP20N60C3概述

  SPP20N60C3是一款650V N溝道CoolMOS?功率MOSFET,具有較低的特定導(dǎo)通電阻。CoolMOS?MOSFET大大降低了傳導(dǎo)、開關(guān)和驅(qū)動損耗,并為卓越的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)實現(xiàn)了高功率密度和效率。最新一代的高壓功率MOSFET使AC-DC電源比以往任何時候都更高效、更緊湊、更輕、更冷。

  在400V時,輸出電容的能量儲存非常低(Eoss)

  低柵極電荷(Qg)

  高效率和功率密度

  卓越的性能

  高可靠性

  易于使用

  應(yīng)用

  計算機和計算機周邊,通信與網(wǎng)絡(luò),消費電子產(chǎn)品,電源管理

  SPP20N60C3中文參數(shù)

制造商:

Infineon

Vgs - 柵極-源極電壓:

- 20 V, + 20 V

產(chǎn)品種類:

MOSFET

最小工作溫度:

- 55 C

技術(shù):

Si

最大工作溫度:

+ 150 C

安裝風(fēng)格:

Through Hole

Pd-功率耗散:

208 W

封裝 / 箱體:

TO-220-3

通道模式:

Enhancement

晶體管極性:

N-Channel

下降時間:

4.5 ns

通道數(shù)量:

1 Channel

上升時間:

5 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:

600 V

晶體管類型:

1 N-Channel

Id-連續(xù)漏極電流:

20.7 A

典型關(guān)閉延遲時間:

67 ns

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:

190 mOhms

典型接通延遲時間:

10 ns

  SPP20N60C3引腳圖

image.png

二、工作原理

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的工作原理基于電場效應(yīng)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性。SPP20N60C3作為N溝道MOSFET,其主要結(jié)構(gòu)包括柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。當(dāng)在柵極和源極之間施加足夠的正向電壓(即柵源電壓Vgs大于閾值電壓Vth)時,會在柵極下方的P型襯底表面形成一層反型層(N型溝道),從而使漏極和源極之間形成導(dǎo)電通道。此時,漏極電流(Id)可以流過MOSFET,其大小受柵源電壓Vgs的控制。當(dāng)柵源電壓Vgs低于閾值電壓Vth時,溝道消失,MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài),漏極電流幾乎為零。

三、特點

  1. 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):SPP20N60C3具有較低的漏源導(dǎo)通電阻,這有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高能源轉(zhuǎn)換效率。

  2. 高耐壓能力:其漏源極電壓可達650V,適用于高壓應(yīng)用場景。

  3. 高開關(guān)速度:快速的上升時間和下降時間(分別為5ns和4.5ns)使得該MOSFET在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

  4. 高功率密度:結(jié)合低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,SPP20N60C3能夠在較小的封裝尺寸內(nèi)提供較高的功率輸出。

  5. 高可靠性:采用先進的CoolMOS?技術(shù),經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制,確保產(chǎn)品的長期穩(wěn)定運行。

  6. 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn):符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鉛化設(shè)計,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對環(huán)保的要求。

四、應(yīng)用

SPP20N60C3因其優(yōu)異的性能而廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:

  1. 電源管理:在AC-DC電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等電源管理系統(tǒng)中,SPP20N60C3作為關(guān)鍵開關(guān)元件,實現(xiàn)了高效、緊湊的電源轉(zhuǎn)換。

  2. 計算機與外設(shè):在筆記本電腦、服務(wù)器、打印機等計算機及其外設(shè)中,SPP20N60C3用于電源供應(yīng)和信號控制,提高了系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

  3. 通信與網(wǎng)絡(luò):在通信基站、路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,SPP20N60C3用于電源轉(zhuǎn)換和信號放大,確保了網(wǎng)絡(luò)通信的高速、穩(wěn)定和可靠。

  4. 消費電子產(chǎn)品:在液晶電視、智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品中,SPP20N60C3用于電源管理和充電控制,提高了產(chǎn)品的使用體驗和續(xù)航能力。

  5. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動化、機器人控制等工業(yè)領(lǐng)域,SPP20N60C3作為電機驅(qū)動器、逆變器等設(shè)備的核心元件,實現(xiàn)了精確、高效的電機控制。

五、參數(shù)詳解

以下是SPP20N60C3的主要技術(shù)參數(shù):

  • 額定電壓(DC):650V。這是MOSFET能夠承受的最大漏源極電壓。

  • 額定電流:20.7A。在正常工作條件下,MOSFET能夠連續(xù)通過的最大漏極電流。

  • 額定功率:208W。MOSFET在特定條件下能夠安全工作的最大功率。

  • 漏源極電阻(RDS(on)):190mΩ。在特定條件下(如Vgs=10V, Id=13.1A時),MOSFET的漏源導(dǎo)通電阻。

  • 閾值電壓(Vth):3V。使MOSFET開始導(dǎo)通所需的最低柵源電壓。

  • 工作溫度范圍:-55℃ ~ 150℃。MOSFET能夠正常工作的溫度范圍。

  • 封裝/外殼:TO

    -220FP(或具體封裝類型,根據(jù)Infineon實際產(chǎn)品可能有所不同)。這種封裝類型通常具有良好的散熱性能和機械強度,適合用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用中。

六、性能優(yōu)化與應(yīng)用注意事項

性能優(yōu)化

  1. 驅(qū)動電路設(shè)計:為了確保SPP20N60C3的快速開關(guān)響應(yīng),需要設(shè)計合適的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠的柵極驅(qū)動電流,以迅速充放電柵極電容,從而減少開關(guān)時間并降低開關(guān)損耗。

  2. 散熱管理:在高功率應(yīng)用中,SPP20N60C3會產(chǎn)生一定的熱量。因此,必須采取有效的散熱措施,如使用散熱片、風(fēng)扇或熱管等,以確保MOSFET的工作溫度不超過其最大允許值。

  3. 并聯(lián)使用:在需要更大電流處理能力的情況下,可以考慮將多個SPP20N60C3并聯(lián)使用。然而,并聯(lián)時需注意均流問題,以確保每個MOSFET分擔(dān)的電流相等,避免某些器件過熱損壞。

應(yīng)用注意事項

  1. 電壓尖峰抑制:在開關(guān)過程中,由于電感等元件的存在,可能會產(chǎn)生電壓尖峰。這些尖峰電壓可能超過SPP20N60C3的額定電壓,從而導(dǎo)致器件損壞。因此,需要采取措施(如使用RC吸收電路、瞬態(tài)電壓抑制器等)來抑制電壓尖峰。

  2. 柵極保護:柵極是MOSFET中最脆弱的部分,容易受到靜電放電(ESD)和過電壓的損害。因此,在設(shè)計和安裝過程中,必須確保柵極得到妥善保護,避免直接與高壓或高阻抗電路相連。

  3. 驅(qū)動電壓選擇:驅(qū)動電壓Vgs的選擇對SPP20N60C3的導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度有重要影響。較高的驅(qū)動電壓可以降低導(dǎo)通電阻并加快開關(guān)速度,但也會增加功耗和成本。因此,在選擇驅(qū)動電壓時需要根據(jù)具體應(yīng)用需求進行權(quán)衡。

  4. 布局與布線:合理的布局和布線對于減少寄生參數(shù)、提高信號完整性和降低電磁干擾(EMI)至關(guān)重要。在設(shè)計PCB時,應(yīng)盡量縮短柵極驅(qū)動電路與MOSFET柵極之間的連接路徑,并使用適當(dāng)?shù)钠帘魏蜑V波措施來減少電磁干擾。

七、總結(jié)

Infineon SPP20N60C3作為一款高性能的N溝道CoolMOS? C3系列功率場效應(yīng)管,以其低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力、高開關(guān)速度和高可靠性等特點,在電源管理、計算機與外設(shè)、通信與網(wǎng)絡(luò)、消費電子產(chǎn)品以及工業(yè)控制等多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。通過合理的驅(qū)動電路設(shè)計、散熱管理、并聯(lián)使用策略以及注意柵極保護、驅(qū)動電壓選擇和布局布線等細節(jié)問題,可以充分發(fā)揮SPP20N60C3的性能優(yōu)勢,實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和控制功能。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用需求的日益增長,SPP20N60C3及其同類產(chǎn)品將繼續(xù)在電力電子領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

責(zé)任編輯:David

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