ON安森美BC846BLT1G NPN硅通用雙極晶體管中文資料

型號類型

ON安森美（ON Semiconductor）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，其產(chǎn)品線廣泛覆蓋模擬、邏輯、電源管理、離散及定制器件等領(lǐng)域。BC846BLT1G是ON安森美生產(chǎn)的一款NPN硅通用雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT），屬于小信號晶體管范疇，特別適用于低功耗、表面貼裝應(yīng)用。該型號晶體管以其高性能、可靠性和廣泛的應(yīng)用場景而備受青睞。

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：三極管

　　中文描述： 晶體管，NPN，最大直流集電極電流100 mA，SOT-23封裝，100 MHz，3引腳

　　英文描述： Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

　　數(shù)據(jù)手冊：http://www.syqqgy.com/data/k02-24020801-BC846BLT1G.html

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　　BC846BLT1G概述

　　BC846BLT1G是一款NPN硅通用雙極晶體管，設(shè)計用于線性和開關(guān)應(yīng)用。低功耗表面貼裝應(yīng)用的理想選擇。

　　感性負(fù)載保護(hù)

　　轉(zhuǎn)向邏輯

　　極性反轉(zhuǎn)保護(hù)

　　ESD等級-人體模型>4000V

　　ESD等級-機器型號>400V

　　應(yīng)用

　　音頻，工業(yè)

　　BC846BLT1G中文參數(shù)

　　BC846BLT1G引腳圖

工作原理

雙極晶體管（BJT）是一種三端電子器件，由兩個PN結(jié)（即發(fā)射結(jié)和集電結(jié)）構(gòu)成，具有電流放大作用。BC846BLT1G作為NPN型BJT，其工作原理可以簡述如下：

• 發(fā)射極（Emitter, E）：發(fā)射極是BJT的輸入端之一，注入多數(shù)載流子（對于NPN型BJT是電子）。當(dāng)在基極（Base, B）和發(fā)射極之間施加正向偏壓時，發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，大量電子從發(fā)射極注入到基區(qū)。

• 基極（Base, B）：基極很薄，且摻雜濃度較低，對注入的電子有控制作用。通過調(diào)整基極電流的大小，可以控制從發(fā)射極注入到基區(qū)的電子數(shù)量，進(jìn)而控制集電極電流的大小。

• 集電極（Collector, C）：集電極是BJT的輸出端，收集由發(fā)射極注入并通過基區(qū)擴(kuò)散到集電區(qū)的電子。集電極電流是基極電流的β倍（β為電流放大系數(shù)，也稱直流電流增益hFE），從而實現(xiàn)電流的放大。

特點

BC846BLT1G作為ON安森美的一款優(yōu)質(zhì)NPN硅通用雙極晶體管，具有以下顯著特點：

1. 低功耗：BC846BLT1G專為低功耗應(yīng)用設(shè)計，最大功率耗散僅為300mW，適合在需要節(jié)能和長壽命的應(yīng)用場景中使用。

2. 高頻特性：具有優(yōu)秀的高頻性能，最高工作頻率可達(dá)100MHz，適用于高頻放大和振蕩電路。

3. 高電壓容忍度：能夠承受較高的電壓，集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO為65V，集電極-基極最大電壓VCBO為80V，適合在寬電壓范圍內(nèi)工作。

4. 快速開關(guān)：具有快速的開關(guān)速度，適用于需要快速響應(yīng)的數(shù)字邏輯電路和開關(guān)電路。

5. 溫度穩(wěn)定性：具有良好的溫度穩(wěn)定性，能夠在-55℃至+150℃的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，確保電路在不同環(huán)境條件下的可靠運行。

6. ESD保護(hù)：具備較高的靜電放電（ESD）保護(hù)能力，人體模型（HBM）ESD等級大于4000V，機器模型（MM）ESD等級大于400V，有效防止靜電損壞。

應(yīng)用

BC846BLT1G憑借其出色的性能和特點，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，包括但不限于以下幾個方面：

1. 放大器電路：BC846BLT1G在音頻放大器和射頻放大器中表現(xiàn)出色。其高電流增益和低噪聲特性使得它能夠在音頻放大器中有效放大音頻信號，提供清晰、高質(zhì)量的音頻輸出。同時，在射頻放大器中，它能夠穩(wěn)定地放大射頻信號，保持信號的完整性和準(zhǔn)確性。

2. 開關(guān)電路：由于其快速的開關(guān)速度和可靠性，BC846BLT1G常用于數(shù)字邏輯電路中的開關(guān)元件。例如，在邏輯門、計數(shù)器、觸發(fā)器等電路中，它能夠快速響應(yīng)控制信號，實現(xiàn)電路的通斷控制。

3. 電源電路：在電源電路中，BC846BLT1G可用作穩(wěn)壓器的關(guān)鍵元件。通過控制其工作狀態(tài)，可以實現(xiàn)對電壓的穩(wěn)定調(diào)節(jié)，確保電源輸出的穩(wěn)定性和可靠性。這對于需要精確電壓控制的電子設(shè)備尤為重要。

4. 振蕩電路：BC846BLT1G的高頻特性和穩(wěn)定性使其成為振蕩電路的理想選擇。在射頻振蕩器和時鐘電路中，它能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的振蕩信號，為通信系統(tǒng)和無線電設(shè)備提供可靠的信號源。

5. 傳感器接口：在傳感器接口電路中，BC846BLT1G可以放大和處理傳感器輸出的微弱信號，使其與微控制器或其他數(shù)字電路進(jìn)行通信和控制。例如，在溫度傳感器接口電路中，它能夠放大傳感器輸出的信號，以便準(zhǔn)確測量溫度并進(jìn)行相應(yīng)的控制。

參數(shù)

以下是BC846BLT1G NPN硅通用雙極晶體管的主要參數(shù)列表：

• 晶體管類型：NPN

• 引腳數(shù)目：3

• 最大直流集電極電流（Ic）：100mA

• 最大集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）：65V

• 最大集電極-基極電壓（VCBO）：80V

• 最大發(fā)射極-基極電壓（VEBO）：5V

• 直流電流增益（hFE）：最小值通常為100至數(shù)百不等，具體值依生產(chǎn)批次和測試條件而定，典型值可能在200-400之間。

• 最大功耗（PD）：300mW。這是晶體管在指定條件下能夠安全耗散的最大功率，超過此值可能導(dǎo)致晶體管過熱并損壞。

• 過渡頻率（fT）：約100MHz。過渡頻率是衡量晶體管高頻性能的一個重要參數(shù)，它表示晶體管在高頻信號下保持增益的能力。

• 噪聲系數(shù)（NF）：低噪聲系數(shù)是音頻和射頻應(yīng)用中的一個重要特性，雖然BC846BLT1G主要面向通用應(yīng)用，但其設(shè)計也考慮了噪聲抑制，以滿足一定范圍內(nèi)的低噪聲要求。

• 封裝類型：BC846BLT1G通常采用SOT-23封裝，這是一種小型的表面貼裝封裝，非常適合自動化生產(chǎn)和空間受限的應(yīng)用。

• 工作溫度范圍：從-55℃至+150℃。這表明晶體管可以在極寬的溫度范圍內(nèi)正常工作，適用于各種環(huán)境條件。

• 熱阻（θJA）：約200℃/W。熱阻是衡量晶體管散熱性能的一個關(guān)鍵參數(shù)，它表示單位功耗下晶體管結(jié)點到周圍環(huán)境的溫度差。

• 存儲溫度：雖然工作溫度范圍有限，但晶體管的存儲溫度范圍通常更寬，以應(yīng)對運輸和長期存儲過程中的極端條件。

設(shè)計與使用注意事項

1. 電流限制：在使用BC846BLT1G時，必須確保集電極電流不超過其最大額定值（Ic_max），以防止晶體管過熱或損壞。

2. 電壓保護(hù)：應(yīng)確保施加在晶體管上的電壓不超過其最大額定電壓（VCEO、VCBO、VEBO），以防止PN結(jié)擊穿。

3. 散熱考慮：在高功率應(yīng)用中，應(yīng)考慮晶體管的散熱問題，可能需要添加散熱片或使用其他散熱措施。

4. 靜態(tài)工作點設(shè)置：在放大器應(yīng)用中，正確設(shè)置晶體管的靜態(tài)工作點（即基極電流和集電極電壓）對于確保電路性能至關(guān)重要。

5. 防靜電處理：雖然BC846BLT1G具有一定的ESD保護(hù)能力，但在處理時仍應(yīng)采取防靜電措施，如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電包裝等。

6. 焊接與組裝：在焊接SOT-23封裝的晶體管時，應(yīng)確保焊接溫度和時間控制在推薦范圍內(nèi)，以避免損壞晶體管或影響其性能。

總結(jié)

BC846BLT1G作為ON安森美生產(chǎn)的一款NPN硅通用雙極晶體管，以其低功耗、高頻特性、高電壓容忍度、快速開關(guān)以及良好的溫度穩(wěn)定性等特點，在電子電路設(shè)計中得到了廣泛應(yīng)用。從放大器電路到開關(guān)電路，從電源電路到振蕩電路，BC846BLT1G都展現(xiàn)出了其卓越的性能和可靠性。通過合理的設(shè)計和使用，可以充分發(fā)揮其優(yōu)勢，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的信號放大和控制功能。