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英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術(shù) 200V CoolSiC G2 MOSFET
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與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲(chǔ)能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續(xù)利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗并提高效率。
CoolSiC G2 對(duì)硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)進(jìn)行了改進(jìn)。這些器件的快速開(kāi)關(guān)能力提高了 30% 以上，熱性能比以前的器件提高了 12%。
CoolSiC G2 MOSFET 的大量產(chǎn)品組合適用于 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 級(jí)的所有常見(jiàn)組合。這些低導(dǎo)通電阻 SiC MOSFET 可用于光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
責(zé)任編輯：David
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