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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源電壓(V(DSS))和±15.a連續(xù)漏極電流。該n溝道MOSFET提供38毫歐低導(dǎo)通電阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍內(nèi)，采用無(wú)鹵素，大功率小模具封裝(HSMT8)。這款符合rohs標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備包含無(wú)鉛電鍍。典型應(yīng)用包括開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
特性
低導(dǎo)通電阻
大功率小模具封裝(HSMT8)
無(wú)鉛電鍍，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鹵素
100% Rg和ui測(cè)試
規(guī)范
60V漏源電壓(V(DSS))
門源電壓(V(GSS))
-55°C至150°C工作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍
38 毫歐R (DS(上)(最大)
±15.a連續(xù)漏極電流(I(D))
14W功耗
應(yīng)用程序
切換
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
內(nèi)部電路
責(zé)任編輯：David
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