原標(biāo)題：ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 igbt的介紹、特性、及應(yīng)用

ROHM Semiconductor的RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是專為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的通用逆變器設(shè)計的。以下是這兩款I(lǐng)GBT的介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)說明：

介紹

• 類型：RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR均為AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的場終止溝槽型IGBT。

• 封裝：兩款I(lǐng)GBT均采用TO-247N封裝，滿足汽車應(yīng)用的要求。

特性

1. 短路安全工作區(qū)（SCSOA）：兩款I(lǐng)GBT均保證有10μs的短路安全工作區(qū)（SCSOA），這增加了它們在惡劣環(huán)境下的可靠性。

2. 低導(dǎo)通損耗：這兩款I(lǐng)GBT采用原始溝槽柵極和薄晶圓技術(shù)，實現(xiàn)低集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)），從而有助于減小尺寸、提高效率。

3. 快速恢復(fù)二極管（FRD）：RGS30TSX2DHR還集成了快速恢復(fù)二極管（FRD），這進一步增強了其性能。

1. 電氣參數(shù)：

• 集電極-發(fā)射極電壓（VCES）：1200V

• 柵極-發(fā)射極電壓（VGES）：±30V

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）：1.7V

• 集電極電流（IC）：15A

• 柵極-發(fā)射極閾值電壓（VGE(th)）：7V

• 功耗（PD）：267W

• 工作結(jié)溫范圍：-40°C至+175°C

2. 環(huán)境兼容性：這兩款I(lǐng)GBT均為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS指令。

應(yīng)用

• 汽車和工業(yè)應(yīng)用：RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR IGBT特別適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用中的通用逆變器，其高可靠性和高效能使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。

• 車載加熱器：RGS30TSX2HR特別適用于車載加熱器，為這些設(shè)備提供穩(wěn)定的電力支持。

總的來說，ROHM Semiconductor的RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT以其高性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在汽車和工業(yè)領(lǐng)域中占據(jù)了重要地位。