原標題：STMicroelectronics 通過 40V STripFET F8 MOSFET 宣傳節(jié)能和低噪聲

STMicroelectronics通過其40V STripFET F8 MOSFET產(chǎn)品確實宣傳了節(jié)能和低噪聲的顯著特性。以下是關(guān)于這一產(chǎn)品的詳細特點和優(yōu)勢：

1. 降低能耗：

• 意法半導(dǎo)體的40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG采用了最新一代的STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術(shù)，這種技術(shù)顯著降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。

• 在柵源電壓(VGS)為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻(Rds(on))分別為0.8毫歐和0.75毫歐，這一低電阻特性有助于減少功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路中的能耗。

• 新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝，進一步提高了能效。

1. 降低噪聲：

• 除了降低能耗外，STripFET F8技術(shù)還優(yōu)化了體寄生二極管特性，降低了功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路中的噪聲。

• 適當?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P(guān)的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關(guān)斷時突降振蕩時間更短，這有助于減少電磁干擾(EMI)。

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾(EMI)低于市場上其他類似器件，這得益于其體二極管的軟恢復(fù)特性和體寄生二極管的反向恢復(fù)電荷的減小。

2. 技術(shù)優(yōu)勢：

• 意法半導(dǎo)體先進的STripFET F8技術(shù)的開關(guān)速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。

• 設(shè)計人員可以在600kHz至1MHz范圍內(nèi)選擇開關(guān)頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應(yīng)用的功率密度。

3. 應(yīng)用廣泛：

• STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別是第一款符合工業(yè)標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，適用于電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉(zhuǎn)換等多種應(yīng)用。

綜上所述，STMicroelectronics的40V STripFET F8 MOSFET通過其卓越的技術(shù)特性和設(shè)計，有效地實現(xiàn)了節(jié)能和低噪聲的目標，為各種應(yīng)用提供了高效的解決方案。