原標(biāo)題：常見的電子元器件失效機(jī)理與分析

電子元器件失效是指在電子設(shè)備或電路中使用的元器件無法正常工作或完成其預(yù)期功能的情況。常見的電子元器件失效機(jī)理與分析可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行歸納：

一、主要失效模式

電子元器件的主要失效模式包括但不限于：

• 開路：電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線帽與電阻體脫落等。

• 短路：由銀的遷移、電暈放電等原因引起。

• 燒毀：由于過電流、過電壓等導(dǎo)致元器件過熱而損壞。

• 爆炸：常見于電容器等儲(chǔ)能元件，由于內(nèi)部壓力過高而破裂。

• 漏電：絕緣材料破損或老化導(dǎo)致電流泄露。

• 功能失效：元器件無法完成其設(shè)計(jì)功能。

• 電參數(shù)漂移：元器件的電性能參數(shù)隨時(shí)間或環(huán)境條件變化而發(fā)生偏移。

• 非穩(wěn)定失效：元器件性能不穩(wěn)定，時(shí)好時(shí)壞。

二、失效機(jī)理分析

1. 開路失效

• 主要機(jī)理：電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線帽與電阻體脫落等。

• 影響因素：工作條件（如電流、電壓）、環(huán)境條件（如溫度、濕度、振動(dòng)）以及元器件本身的制造質(zhì)量等。

2. 短路失效

• 主要機(jī)理：銀的遷移、電暈放電等。

• 影響因素：高濕度環(huán)境、高電壓梯度、元器件材料缺陷等。

3. 燒毀失效

• 主要機(jī)理：過電流、過電壓導(dǎo)致元器件內(nèi)部產(chǎn)生大量熱量，使元器件溫度急劇升高而燒毀。

• 影響因素：電路設(shè)計(jì)不合理、保護(hù)電路失效、元器件選型不當(dāng)?shù)取?/span>

4. 爆炸失效

• 主要機(jī)理：電容器等儲(chǔ)能元件內(nèi)部壓力過高而破裂。

• 影響因素：電容器質(zhì)量問題、過充電、過放電、高溫環(huán)境等。

5. 漏電失效

• 主要機(jī)理：絕緣材料破損或老化導(dǎo)致電流泄露。

• 影響因素：環(huán)境因素（如濕度、溫度、化學(xué)腐蝕）、機(jī)械應(yīng)力、材料老化等。

6. 功能失效

• 主要機(jī)理：元器件內(nèi)部損壞或性能退化導(dǎo)致無法完成設(shè)計(jì)功能。

• 影響因素：制造工藝缺陷、材料質(zhì)量問題、工作條件惡劣等。

7. 電參數(shù)漂移

• 主要機(jī)理：元器件內(nèi)部材料老化、應(yīng)力釋放、化學(xué)反應(yīng)等導(dǎo)致電性能參數(shù)變化。

• 影響因素：時(shí)間、溫度、濕度、電負(fù)荷等。

8. 非穩(wěn)定失效

• 主要機(jī)理：元器件內(nèi)部存在不穩(wěn)定因素（如微裂紋、雜質(zhì)等），導(dǎo)致性能時(shí)好時(shí)壞。

• 影響因素：制造工藝控制不嚴(yán)、材料純度不夠、工作環(huán)境變化等。

三、失效分析方法

電子元器件失效分析是對(duì)已失效元器件進(jìn)行的一種事后檢查，包括失效鑒別、外觀檢查、非破壞性測試、電氣測試、化學(xué)分析、微觀分析、熱分析、故障模式分析和原因分析等步驟。通過這些步驟，可以確定元器件的失效模式，找出失效機(jī)理，為改進(jìn)設(shè)計(jì)和提高產(chǎn)品可靠性提供依據(jù)。

綜上所述，電子元器件失效機(jī)理復(fù)雜多樣，涉及材料、工藝、環(huán)境等多個(gè)方面。因此，在電子元器件的設(shè)計(jì)、制造和使用過程中，需要充分考慮各種因素，采取有效的措施來預(yù)防和減少失效的發(fā)生。