原標(biāo)題：英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計

英飛凌推出的采用高性能AIN（氮化鋁）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，在提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計方面發(fā)揮了重要作用。以下是對該產(chǎn)品的詳細分析：

一、產(chǎn)品背景與特點

• 升級材料：英飛凌將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN）陶瓷，這種材料具有出色的熱導(dǎo)性能，有助于提升模塊的散熱效率。

• 高功率密度：由于AIN陶瓷的應(yīng)用，該模塊適合用于高功率密度應(yīng)用，如太陽能系統(tǒng)、不間斷電源（UPS）、輔助逆變器、儲能系統(tǒng)和電動汽車充電樁等。

• 優(yōu)良性能：采用半橋配置的EasyDUAL模塊，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），其中EasyDUAL 1B封裝的RDS(on)為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的RDS(on)為6 mΩ。同時，這些模塊還采用了具有優(yōu)良柵極氧化層可靠性的最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。

二、技術(shù)優(yōu)勢

• 散熱性能提升：由于AIN陶瓷的熱導(dǎo)率高于傳統(tǒng)材料，結(jié)到散熱器的熱阻（RthJH）最多可以降低40%。這意味著在相同的工作條件下，模塊可以更有效地散發(fā)熱量，保持較低的工作溫度，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

• 功率輸出增加：新型AIN陶瓷的應(yīng)用還有助于提高輸出功率。在相同的封裝尺寸下，采用AIN陶瓷的模塊能夠輸出更高的功率，滿足更多應(yīng)用場景的需求。

• 系統(tǒng)壽命延長：通過降低結(jié)溫和提高散熱效率，新型模塊可以延長系統(tǒng)的使用壽命。這對于需要長時間穩(wěn)定運行的應(yīng)用場景尤為重要。

三、市場應(yīng)用與前景

• 廣泛應(yīng)用：由于其在高功率密度應(yīng)用中的出色表現(xiàn)，新型EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊已經(jīng)在多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。未來，隨著新能源汽車、儲能系統(tǒng)等市場的不斷發(fā)展，該產(chǎn)品的市場需求將進一步增長。

• 發(fā)展前景：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步和材料科學(xué)的不斷發(fā)展，英飛凌等領(lǐng)先企業(yè)將繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品以滿足市場需求。新型EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊作為其中的佼佼者之一，其發(fā)展前景值得期待。

綜上所述，英飛凌推出的采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊在提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計方面取得了顯著成效。該產(chǎn)品的推出不僅豐富了英飛凌的產(chǎn)品線，也為市場提供了更多選擇。