芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證


原標(biāo)題:芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證
芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證,這一事件標(biāo)志著芯和半導(dǎo)體在EDA(電子設(shè)計(jì)自動化)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展,以下是對此事件的詳細(xì)解讀:
一、認(rèn)證背景與意義
認(rèn)證背景:
芯和半導(dǎo)體科技(上海)有限公司(簡稱“芯和半導(dǎo)體”)作為國內(nèi)EDA行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,一直致力于為芯片設(shè)計(jì)公司提供先進(jìn)的仿真解決方案。
三星晶圓廠的8納米低功耗(8LPP)工藝是在其上一代FinFET先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,對功率、性能和面積作了進(jìn)一步優(yōu)化,被認(rèn)為是眾多高性能應(yīng)用中最具吸引力的工藝節(jié)點(diǎn)之一。
認(rèn)證意義:
此次認(rèn)證表明芯和半導(dǎo)體的片上無源電磁場(EM)仿真套件已經(jīng)滿足了三星8LPP工藝的高標(biāo)準(zhǔn)要求,能夠顯著提升IC設(shè)計(jì)公司在該工藝上的設(shè)計(jì)交付速度。
這對于國產(chǎn)EDA工具來說是一次重要的突破,意味著國內(nèi)芯片公司在使用先進(jìn)工藝進(jìn)行后仿真時(shí),可以更多地依賴國產(chǎn)工具,降低了對國外軟件的依賴風(fēng)險(xiǎn)。
二、套件組成與技術(shù)特點(diǎn)
套件組成:
芯和半導(dǎo)體的片上無源電磁場仿真套件包含了快速三維電磁場仿真器IRIS和快速自動PDK建模工具iModeler。
技術(shù)特點(diǎn):
IRIS采用了為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)量身定做的最先進(jìn)的EM仿真技術(shù),提供了從DC到THz的精確全波算法,并通過多核并行計(jì)算和分布式處理實(shí)現(xiàn)仿真效率的加速。
IRIS還擁有多項(xiàng)匹配先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的特定功能,如考慮線寬線距在加工時(shí)的偏差等,因此被多家設(shè)計(jì)公司廣泛采用。
iModeler則能夠通過內(nèi)置豐富的模板及快速的IRIS仿真引擎自動生成PDK,幫助PDK工程師和電路設(shè)計(jì)工程師快速生成參數(shù)化模型。
三、認(rèn)證影響與未來展望
認(rèn)證影響:
此次認(rèn)證將增強(qiáng)芯和半導(dǎo)體在EDA領(lǐng)域的市場地位,吸引更多IC設(shè)計(jì)公司選擇其解決方案。
同時(shí),這也將為三星等晶圓廠提供更多的國產(chǎn)EDA工具選擇,有助于推動國產(chǎn)EDA工具在全球市場的普及和應(yīng)用。
未來展望:
芯和半導(dǎo)體將繼續(xù)與三星等晶圓廠進(jìn)行深入合作,共同推動先進(jìn)工藝技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
隨著5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對高頻/高速電子組件的需求將不斷增加,芯和半導(dǎo)體的EDA解決方案將迎來更廣闊的市場空間。
芯和半導(dǎo)體將不斷加大研發(fā)投入,提升產(chǎn)品性能和用戶體驗(yàn),為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的EDA解決方案和服務(wù)。
綜上所述,芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證是其在EDA領(lǐng)域取得的一次重要里程碑。這一事件將推動國產(chǎn)EDA工具在全球市場的普及和應(yīng)用,為芯片設(shè)計(jì)公司提供更加高效、可靠的仿真解決方案。
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