原標(biāo)題：ISL71091SEHxx電壓基準(zhǔn)的總劑量測(cè)試

ISL71091SEHxx電壓基準(zhǔn)的總劑量測(cè)試主要評(píng)估該電壓基準(zhǔn)的總劑量硬度及其劑量率和偏差敏感性。以下是對(duì)該測(cè)試的一些詳細(xì)分析：

一、測(cè)試目的

• 評(píng)估ISL71091SEHxx電壓基準(zhǔn)的總劑量硬度。

• 評(píng)估其劑量率和偏差敏感性。

• 觀察零件在偏置高溫退火下的加速老化響應(yīng)。

二、測(cè)試樣品與變體

• ISL71091SEHxx具有多個(gè)變體，包括ISL71091SEH20（2.048V標(biāo)稱輸出電壓）、ISL71091SEH33（3.3V標(biāo)稱輸出電壓）、ISL71091SEH40（4.096V標(biāo)稱輸出電壓）和ISL71091SEH10（10.0V標(biāo)稱輸出電壓）。

• 這些變體使用相同的基礎(chǔ)芯片，通過(guò)不同的掩膜電平和片上微調(diào)選擇輸出電壓，并在探針和封裝電平處進(jìn)行調(diào)整以獲得指定的輸出電壓。

三、測(cè)試條件與方法

• 劑量率：測(cè)試包括高劑量率（50至300 rad(Si)/s）和低劑量率（0.01 rad(Si)/s）。

• 輻照設(shè)施：使用位于佛羅里達(dá)州Intersil設(shè)施的Gammacell 220 60Co輻照器進(jìn)行高劑量率測(cè)試，使用Intersil Palm Bay N40全景低劑量率60Co輻照器進(jìn)行低劑量率測(cè)試。

• 偏置高溫退火：使用設(shè)置在+100°C的小型溫度室進(jìn)行輻照后的高溫偏置退火。

• 電氣測(cè)試：使用生產(chǎn)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備（ATE）在輻射器外部執(zhí)行所有電氣測(cè)試，并在每個(gè)下降點(diǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄。所有下行電氣測(cè)試均在室溫下進(jìn)行。

四、測(cè)試結(jié)果

• ISL71091SEHxx變體在高劑量率和低劑量率照射下均顯示出良好的性能。

• 所有樣品均以SMD中指定的總劑量水平通過(guò)了輻照后規(guī)范。

• 在臨界輸出電壓參數(shù)中觀察到一定的劑量率靈敏度和偏置靈敏度，該部件被認(rèn)為是中等較低的劑量率靈敏度。

• 觀察到有趣的偏向高溫退火響應(yīng)。

五、ISL71091SEHxx電壓基準(zhǔn)的特點(diǎn)

• 是一款低噪聲精密基準(zhǔn)電壓源，具有4.6V至30V的寬電源電壓范圍（3.3V型號(hào)）。

• 提供四個(gè)輸出電壓選項(xiàng)，包括2.048V、3.3V、4.096V和10.0V。

• 具有6 ppm/°C的溫度系數(shù)以及出色的線路和負(fù)載調(diào)節(jié)能力。

• 實(shí)現(xiàn)了低于5.2μV的峰峰值（0.1Hz至10Hz，3.3V變型）噪聲。

• 初始電壓在+25°C時(shí)為±0.05%，在整個(gè)輻射范圍內(nèi)為±0.25%。

綜上所述，ISL71091SEHxx電壓基準(zhǔn)在總劑量測(cè)試中表現(xiàn)出良好的性能，具有中等較低的劑量率靈敏度和有趣的偏向高溫退火響應(yīng)。這些特性使其成為儀器儀表等應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。