原標(biāo)題：X－FAB對(duì)其180nm APD和SPAD器件進(jìn)行重大改進(jìn)提升光子探測性能并增加其有源區(qū)面積

X-FAB對(duì)其180nm APD（雪崩光電二極管）和SPAD（單光子雪崩二極管）器件進(jìn)行了重大改進(jìn)，這些改進(jìn)旨在提升光子探測性能并增加其有源區(qū)面積。以下是對(duì)這些改進(jìn)的詳細(xì)闡述：

一、技術(shù)改進(jìn)概述

X-FAB利用其成熟且通過汽車認(rèn)證的180nm XH018高壓工藝，對(duì)APD和SPAD器件進(jìn)行了創(chuàng)新性的架構(gòu)改進(jìn)。這些改進(jìn)使得新器件與早期器件相比，在性能上得到了顯著提升，因此可用于光照強(qiáng)度極具挑戰(zhàn)性的場景。

二、性能提升

1. 光子探測概率（PDP）：

• 在405nm波長入射光下，PDP數(shù)值提升至42%。

• 在近紅外（NIR）頻率上，改進(jìn)幅度更大，高達(dá)150%；特別是在850nm波長下，PDP數(shù)值達(dá)到5%。

2. 后脈沖概率：

• 后脈沖概率為0.9%，與第一代器件相比降低了70%。

3. 暗計(jì)數(shù)率（DCR）：

• DCR降低至僅13次/秒/μm2，表現(xiàn)出極低的噪聲水平。

4. 填充因子：

• 當(dāng)前可支持的填充因子（有源傳感器表面積百分比）幾乎翻了一番，達(dá)到33%，從而增加了器件的有效探測面積。

三、其他重要改進(jìn)

1. 觸發(fā)二極管：

• X-FAB內(nèi)置了一個(gè)觸發(fā)二極管，可以在無需外部光源的情況下實(shí)現(xiàn)精確、實(shí)時(shí)的片上擊穿電壓檢測。這有助于確保APD/SPAD的良好性能。

2. 主動(dòng)猝滅電路：

• 全新產(chǎn)品包含主動(dòng)猝滅電路，可以加快SPAD器件的恢復(fù)速度，使其為進(jìn)一步光子探測做好準(zhǔn)備。

3. 尺寸的靈活性：

• 得益于尺寸的靈活性（寬度和長度方面），全新SPAD帶來了更杰出的應(yīng)用適應(yīng)性。

4. 完整器件模型：

• SPAD和APD器件的完整器件模型保證了首次成功（first-time-right），該模型還包括新的內(nèi)置觸發(fā)二極管行為。

四、應(yīng)用前景

X-FAB的這些改進(jìn)使得其APD/SPAD解決方案具備令人印象深刻的信號(hào)完整性特性。這將使客戶在眾多應(yīng)用中獲得直接的收益，如醫(yī)療領(lǐng)域中的計(jì)算機(jī)層析成像和熒光檢測，以及工業(yè)和汽車系統(tǒng)中的ToF（飛行時(shí)間）與激光雷達(dá)等。這些先進(jìn)的光電元件是X-FAB設(shè)計(jì)套件的寶貴補(bǔ)充，拓寬了在XH018工藝中可利用的互操作資產(chǎn)選擇范圍。

綜上所述，X-FAB對(duì)其180nm APD和SPAD器件的重大改進(jìn)在提升光子探測性能和增加有源區(qū)面積方面取得了顯著成果，這些改進(jìn)將為客戶在各種應(yīng)用中帶來顯著的優(yōu)勢和收益。