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10N60 10A/600V MOS場效應(yīng)管

來源: hqew
2021-01-05
類別:基礎(chǔ)知識
eye 25
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:10N60 10A/600V MOS場效應(yīng)管

10N60 10A/600V MOS場效應(yīng)管是一種具有特定電氣特性的半導(dǎo)體器件,以下是對其的詳細(xì)解析:

一、基本參數(shù)

  • 型號:10N60

  • 漏極-源極電壓(VDS):600V。這表示該場效應(yīng)管能夠承受的最大漏極到源極的電壓為600V。

  • 柵源電壓(VGS):通常的柵源電壓限制(未給出具體最大值,但一般MOS管有柵極電壓限制)。在實(shí)際應(yīng)用中,需要確保柵源電壓不超過器件的規(guī)格限制,以避免損壞器件。

  • 漏極電流(ID):10A。這表示該場效應(yīng)管在正常工作條件下能夠承載的最大漏極電流為10A。

二、其他重要參數(shù)

  • 功耗(PD):125W。這表示該場效應(yīng)管在最大工作條件下能夠承受的最大功耗為125W。

  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):0.85Ω(在特定條件下,如VGS=10V時)。RDS(ON)是衡量場效應(yīng)管導(dǎo)通狀態(tài)下電阻大小的重要參數(shù),它影響器件的功耗和效率。

  • 二極管正向電壓(VSD):1.5V(某些情況下,如體二極管導(dǎo)通時)。

  • 輸入電容(Ciss):1500pF。輸入電容是柵極到源極和柵極到漏極電容的總和,它影響器件的開關(guān)速度和頻率響應(yīng)。

  • 二極管反向恢復(fù)時間(trr):600nS。這是體二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到截止?fàn)顟B(tài)所需的時間,對高頻應(yīng)用中的開關(guān)性能有影響。

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三、封裝與尺寸

  • 封裝類型:TO-220。這是一種常見的功率半導(dǎo)體器件封裝,具有良好的散熱性能。

  • 尺寸:總長度約為28.57mm,本體長度約為15.87mm,寬度約為10.66mm,高度約為5.0mm。這些尺寸信息有助于確定器件在電路板上的布局和散熱設(shè)計。

四、特性與優(yōu)勢

  • 快速切換:由于具有較低的輸入電容和反向恢復(fù)時間,該場效應(yīng)管能夠?qū)崿F(xiàn)快速切換,適用于高頻應(yīng)用。

  • 低柵極電荷:這有助于降低開關(guān)損耗和提高效率。

  • 100%雪崩測試:確保器件在承受過壓時具有可靠的雪崩擊穿特性。

  • 改進(jìn)的dv/dt能力:提高了器件對快速電壓變化的承受能力。

五、應(yīng)用范圍

  • 開關(guān)電源:用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)等,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。

  • PWM電機(jī)控制:在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)向。

  • 橋電路:在整流、逆變等電路中作為關(guān)鍵元件。

  • 通用開關(guān)應(yīng)用:在各種需要高頻開關(guān)性能的電路中,如通信設(shè)備、計算機(jī)系統(tǒng)等。

綜上所述,10N60 10A/600V MOS場效應(yīng)管以其優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應(yīng)用范圍,在電力電子、自動化控制等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: 10N60 MOS場效應(yīng)管

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