原標(biāo)題：氮化鎵快充研發(fā)重大突破！三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)

近年來(lái)，氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）快充技術(shù)取得了顯著進(jìn)展，標(biāo)志著我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要一步。氮化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，以其高速度、高功率、高效率的優(yōu)勢(shì)，在快充領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

一、氮化鎵快充技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵材料具有以下顯著特點(diǎn)：

• 運(yùn)行速度快：比傳統(tǒng)硅材料快二十倍。

• 功率密度高：能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率輸出。

• 體積小、效率高：在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍，適用于高頻高效的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

這些優(yōu)勢(shì)使得氮化鎵快充產(chǎn)品具有更高的轉(zhuǎn)換效率、更小的體積和更輕的重量，成為消費(fèi)類(lèi)快充電源市場(chǎng)的首選材料。

二、氮化鎵快充三大核心芯片

在氮化鎵快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，主要需要用到三顆核心芯片：

1. 氮化鎵控制器

• 負(fù)責(zé)控制氮化鎵功率器件的開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。

• 由于氮化鎵功率器件的驅(qū)動(dòng)電壓范圍窄，對(duì)負(fù)壓敏感，因此氮化鎵控制器的設(shè)計(jì)難度較大。

2. 氮化鎵功率器件

• 是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心部件，具有高頻率、低損耗的特點(diǎn)。

• 氮化鎵功率器件的性能直接影響快充產(chǎn)品的效率和體積。

3. 快充協(xié)議控制器

• 負(fù)責(zé)與充電設(shè)備之間的通信，支持多種快充協(xié)議。

• 實(shí)現(xiàn)智能識(shí)別和管理充電過(guò)程，保障充電的安全性和兼容性。

三、全國(guó)產(chǎn)化突破

此前，氮化鎵快充產(chǎn)品的核心芯片中，氮化鎵控制器主要依賴(lài)進(jìn)口，限制了國(guó)內(nèi)快充產(chǎn)品的發(fā)展。然而，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商在氮化鎵快充領(lǐng)域取得了重大突破，三大核心芯片均已實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化。

以東莞市瑞亨電子科技有限公司為例，該公司成功量產(chǎn)了一款65W氮化鎵快充充電器，這是業(yè)界首款基于國(guó)產(chǎn)氮化鎵控制芯片、國(guó)產(chǎn)氮化鎵功率器件以及國(guó)產(chǎn)快充協(xié)議芯片開(kāi)發(fā)并正式量產(chǎn)的產(chǎn)品。這三顆核心芯片分別來(lái)自南芯半導(dǎo)體、英諾賽科和智融科技。

• 南芯半導(dǎo)體：提供主控芯片SC3021A，采用專(zhuān)有的GaN直驅(qū)設(shè)計(jì)，省去外置驅(qū)動(dòng)器，集成度高，性能優(yōu)越。

• 英諾賽科：提供氮化鎵功率器件INN650D02，耐壓650V，導(dǎo)阻低至0.2Ω，采用先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)加工工藝，性能領(lǐng)先。

• 智融科技：提供二次降壓+協(xié)議識(shí)別芯片SW3516H，支持多種快充協(xié)議，集成度高，外圍器件少。

四、全國(guó)產(chǎn)化的意義

氮化鎵快充三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化，具有重要意義：

1. 提升產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力：避免關(guān)鍵技術(shù)被國(guó)外廠商“卡脖子”，保障國(guó)家信息安全和產(chǎn)業(yè)安全。

2. 降低成本，推動(dòng)普及：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商可以充分發(fā)揮本土企業(yè)的優(yōu)勢(shì)，降低生產(chǎn)成本，推動(dòng)氮化鎵快充產(chǎn)品的普及。

3. 促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)：全國(guó)產(chǎn)化的實(shí)現(xiàn)將激發(fā)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商的創(chuàng)新活力，推動(dòng)氮化鎵快充技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

五、市場(chǎng)前景

隨著氮化鎵快充技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，氮化鎵快充產(chǎn)品將在消費(fèi)類(lèi)電子、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。據(jù)預(yù)測(cè)，到2027年，功率GaN器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到20億美元，氮化鎵快充市場(chǎng)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展前景。

六、總結(jié)

氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化，標(biāo)志著我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要一步。這將有助于提升我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力，推動(dòng)氮化鎵快充產(chǎn)品的普及，為我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力。