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EPC推出170 V eGaN FET,實現(xiàn)優(yōu)越同步整流,極具成本效益

來源: 中電網(wǎng)
2020-11-16
類別:新品快報
eye 38
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:EPC推出170 V eGaN FET,實現(xiàn)優(yōu)越同步整流,極具成本效益

EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)推出的170 V eGaN FET(氮化鎵場效應(yīng)晶體管)在同步整流應(yīng)用中實現(xiàn)了顯著的性能提升,并具有極高的成本效益。

產(chǎn)品概述

  • 型號與規(guī)格:EPC2059,170 V,6.8 mΩ。

  • 產(chǎn)品定位:適用于高性能48 V同步整流,滿足48 V ~ 56 V服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品及高端計算領(lǐng)域的消費類電源應(yīng)用需求。

技術(shù)優(yōu)勢

  1. 小型化與高效性

    • 與傳統(tǒng)硅MOSFET相比,EPC2059在相同導(dǎo)通電阻下,功耗僅為硅器件的1/6,工作溫度低10℃。

    • 支持1 MHz開關(guān)頻率,適用于AC/DC適配器、快速充電器及100 W ~ 6 kW功率范圍的電源供電應(yīng)用。

  2. 成本效益

    • 批量單價為1.59美元(2500片),顯著降低系統(tǒng)成本。

    • 配套開發(fā)板EPC9098(單價123.75美元)可快速評估性能,加速產(chǎn)品上市。

  3. 性能突破

    • 實現(xiàn)80 Plus鈦電源供電效率,系統(tǒng)尺寸更小、速度更快、溫度更低、重量更輕。

    • 在1 MHz頻率下,400 V/48 V轉(zhuǎn)換器的功耗僅為硅MOSFET解決方案的1/6,工作溫度降低10℃。

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應(yīng)用場景

  • 服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心:滿足48 V ~ 56 V電源需求,提升能效標(biāo)準(zhǔn)。

  • 消費類電源:適用于游戲PC、LCD/LED電視、LED照明等。

  • 高端計算:支持人工智能、云計算和高端游戲系統(tǒng)的電源管理。

市場影響

  • 搶占高端市場:EPC2059憑借其性能與成本優(yōu)勢,瞄準(zhǔn)高端服務(wù)器和消費類電源市場,推動氮化鎵技術(shù)在電源領(lǐng)域的普及。

  • 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力:作為增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,EPC持續(xù)推動產(chǎn)品性能提升與成本降低。

行業(yè)評價

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示:“在AC/DC適配器的次級側(cè)同步整流中使用氮化鎵器件,可實現(xiàn)非常明顯的性能優(yōu)勢,幫助設(shè)計人員滿足高端計算領(lǐng)域的嚴(yán)格能效標(biāo)準(zhǔn)?!?/span>

總結(jié)

EPC的170 V eGaN FET通過技術(shù)創(chuàng)新,為電源設(shè)計提供了更高效、更小型化、更具成本效益的解決方案,尤其在高端計算和消費類電源領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: eGaN FET EPC

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